UMO-2023/51/B/ST7/02340: Międzypasmowy detektor kaskadowy z półprzewodników grupy AIIIBV na potrzeby matrycy dalekiej podczerwieni
SHENG3–UMO-2023/48/Q/ST7/00144: Detektory pojedynczych fotonów na bazie supersieci-II rodzaju InAs/InAsSb i materiałów 2D aktywne w średniofalowym zakresie promieniowania podczerwonego i warunkach wysokotemperaturowych
UMO-2023/45/B/ST7/01393:Badanie możliwości opracowania na bazie półprzewodników z grupy AIIIBV architektury detektora podczerwieni osiągającego szybkość odpowiedzi na poziomie 1 GHz
UMO-2021/41/B/ST7/01532:Wysokotemperaturowe i długofalowe fotodiody lawinowe na bazie materiałów III-V
UMO-2021/43/B/ST7/00768:Badania efektu wzmocnienia fotoelektrycznego w długofalowych kaskadowych detektorach podczerwieni na bazie supersieci-II rodzaju InAs/InAsSb
PM/SP/0036/2021/1: Zwiększenie dokładności pomiarów własności elektrycznych półprzewodników za pomocą ultraczułych metod stałonapięciowych, przy wykorzystaniu wzorców metrologicznych
014/RID/2018/19: Opracowanie i weryfikacja eksperymentalna nowych koncepcji charakteryzacji transportu kwantowego w złożonych heterostrukturach półprzewodnikowych
UMO-2018/30/M/ST7/00174:Detektory HOT z związków III-V T2SLs pracujące w długofalowym zakresie promieniowania podczerwonego do wykrywania metanu
UMO-2019/33/B/ST7/00614: Badania nad efektem lawinowym w długofalowych (8 mikrometrów) fotodiodach z HgCdTe pracujących w warunkach wysokotemperaturowych (190-230 K)
UMO-2018/31/B/ST7/01541: Badania nad długofalowymi (12 mikrometrów), wysokotemperaturowymi detektorami kaskadowymi do wykrywanie etanu
