Nr umowy: UMO-2022/45/B/ST7/01393
Czas realizacji: 01.05.2023 – 30.04.2026
Koszty całkowite: 1 256 295,00 PLN
Podmiot realizujący: Wojskowa Akademia Techniczna
Kierownik projektu: płk prof. dr hab. inż. Małgorzata Kopytko

Opis projektu:

Projekt ukierunkowany jest na zbadanie możliwości wykonania na bazie półprzewodników z grupy AIIIBV detektora podczerwieni osiągającego szybkość odpowiedzi na poziomie 1 GHz. Kluczem do sukcesu będzie dokładne zrozumienie fizyki zjawisk fotoelektrycznych w tego typu strukturach oraz ich wszechstronna analiza eksperymentalna wsparta symulacjami numerycznymi wykonanymi przy pomocy programów komputerowych.

Publikacje:

  1. K. Murawski, K. Majkowycz, T. Manyk, M. Kopytko, “Trap levels analysis in MWIR InAs/InAsSb T2SL photodiode,” Materials Science & Engineering B 300, 117112 (2024). MEiN: 100, DOI: 10.1016/j.mseb.2023.117112
  2. M. Kopytko, P.Madejczyk, K. Murawski, Ł. Kubiszyn, K. Michalczewski, B. Seredyński, K. Szlachetko, J. Jureńczyk, W.Gawron, J. Rutkowski, “Comparison of type II superlattice InAs/InAsSb barrier detectors in the mid-wave infrared range,” Journal of Applied Physics 136, 014501 (2024). MEiN: 100, DOI: 10.1063/5.0202170
  3. T. Manyk, J. Rutkowski, J. Pawluczyk, M. Kopytko, “Theoretical analysis of the response time of MWIR InAs/InAsSb T2SL barrier detector,” Optics & Laser Technology 180, 111492 (2025). MEiN: 100, DOI: 10.1063/j.optlastec.2024.111492
  4. K. Murawski, G. Kolodziej, B. Seredynski, L. Kubiszyn, K. Michalczewski, and M. Kopytko, “Impact of Valence Band Offset on Optical Transitions and Carrier Dynamics in LWIR InAs/InAsSb nBn Detectors,” Optics Express 15(27), 27340-27347 (2026). MEiN: 140,  DOI: 10.1364/OE.600776
  5. M. Kopytko, G. Kołodziej, P. Baranowski, B. Seredyński, Ł. Kubiszyn, K. Michalczewski, J. Jureńczyk, K. Szlachetko, D. Smoczyński, and J. Piotrowski, “Valence-Band Offset Engineering in LWIR InAs/InAsSb nBn Detectors,” IEEE Electron Device Letters, (2026). MEiN: 140,  DOI: 10.1109/LED.2026.3713619