Nr umowy: POIR.01.01.01-00-0185/20-00
Czas realizacji: 01.07.2021 – 31.12.2023
Koszty całkowite: 15 582 310,69 PLN
Koszty kwalifikowane WAT: 3 060 812,50 PLN
Lider: VIGO Photonics S.A.
Partnerzy w projekcie: Wojskowa Akademia Techniczna, Inframet Krzysztof Chrzanowski
Koordynator projektu ze strony WAT: płk dr hab. inż. Małgorzata Kopytko
Opis projektu:
Głównym celem projektu jest opracowanie matrycy na zakres podczerwieni 2-5 μm dla zastosowań kosmicznych. Celem dodatkowym jest opracowanie zestawu pomiarowego do charakteryzacji typowych matryc, modułów oraz kamer podczerwieni o średniej rozdzielczości obrazu.
Proponowana w projekcie matryca na zakres podczerwieni wykonana z zaawansowanego technologicznie materiału – supersieci II rodzaju typu InAs/InAsSb będzie produktem nowym i całkowicie innowacyjnym w skali polskiego rynku. Matryca będzie również produktem innowacyjnym w skali światowej zastępując istniejące na rynku matryce z antymonku indu (InSb).
Projekt jest współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Inteligentny Rozwój i realizowany w ramach konkursu Narodowego Centrum Badań i Rozwoju: Szybka ścieżka dla Mazowsza.
Publikacje:
- A. Rogalski, “Scaling infrared detectors – Status and outlook” Reports on Progress in Physics 85, 126501 (2022). MEiN: 200, DOI: 10.1088/1361-6633/ac97a8
- M. Kopytko and A. Rogalski, “Performance evaluation of type-II superlattice devices relative to HgCdTe photodiodes,” IEEE Transactions on Electron Devices 69(6), 2992-3002 (2022). MEiN: 100, DOI: 10.1109/TED.2022.3164373
- K. Murawski, T. Manyk, and M. Kopytko, “The role of carrier localization in determining the temperature dependence of the mid-wavelength infrared InAs/InAsSb type-II superlattice energy gap,” 2022 US Workshop on the Physics & Chemistry of II-VI Materials, Tampa, USA (2022).
- K. Murawski, T. Manyk, and M. Kopytko, “Analysis of temperature-dependent photoluminescence spectra in mid-wavelength infrared InAs/InAsSb type-II superlattice,” Journal of Electronics Materials 52, 7089-7094 (2023). MEiN: 70, DOI: 10.1007/s11664-023-10661-x
- M. Kopytko, K. Murawski, K. Majkowycz, Ł. Kubiszyn, W. Gawron, P. Martyniuk, „Detektory z supersieci InAs/InAsSb na potrzeby matrycy średniej podczerwieni,” XIV Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa ELTE 2023, Ryn, 2023.
- M. Kopytko „Detektory z supersieci InAs/InAsSb optymalizowane na zakres średniej podczerwieni, I Sympozjum Naukowe Zakładu Fizyki Ciała Stałego „Nowe Technologie w Podczerwieni”, Rynia, 2023.
- J. Rutkowski „Analiza rezystancji dynamicznej detektorów barierowych wykonanych z warstw epitaksjalnych z supersieci InAs/InAsSb na potrzeby elementu aktywnego matrycy średniej podczerwieni”, I Sympozjum Naukowe Zakładu Fizyki Ciała Stałego „Nowe Technologie w Podczerwieni”, Rynia, 2023.
- K. Murawski, K. Majkowycz, T. Manyk, M. Kopytko, “Trap levels analysis in MWIR InAs/InAsSb T2SL photodiode,” Materials Science & Engineering B 300, 117112 (2024). MEiN: 100, DOI: 10.1016/j.mseb.2023.117112