Nr umowy: UMO-2019/33/B/ST7/00614
Czas realizacji: 05.02.2020 – 04.02.2023
Koszty całkowite: 1 323 600,00 PLN
Podmiot realizujący: Wojskowa Akademia Techniczna
Kierownik projektu: płk prof. dr hab. inż. Piotr Martyniuk

Opis projektu:

Głównym celem projektu jest próba potwierdzenia możliwości uzyskania wzmocnienia prądowego na poziomie >25 i szumu <2 w fotodiodach lawinowych z HgCdTe pracujących w długofalowym zakresie promieniowania podczerwonego (długość fali odcięcia, λc ~ 8 μm), chłodzonych 4- lub 2-stopniowymi chłodziarkami termoelektrycznymi. Badania będą obejmowały próbę ustalenia architektury detektora lawinowego i opracowania technologii wytwarzania długofalowej detekcyjnej struktury lawinowej, w szczególności wzrost warstw HgCdTe, który będzie prowadzony na podłożach GaAs metodą MOCVD (metal-organic vapour deposition) oraz processing warstw i przyrządów. W ramach realizacji projektu planujemy odpowiedzieć na pytanie czy możliwe jest uzyskanie wzmocnienia prądowego na poziomie >25 w wysokotemperaturowych warunkach pracy (HOT – higher operating temperature) i jakie czynniki muszą być spełnione i które z nich mają decydujący wpływ na efekt lawinowy w analizowanych detektorach długofalowych z HgCdTe.

Publikacje:

  1. T. Manyk, J. Rutkowski, M. Kopytko and P. Martyniuk, “Determination of the strain influence on the InAs/InAsSb type-II superlattice effective masses,” Sensors 22(21), 8243 (2022). MEiN: 100, DOI: 10.3390/s22218243
  2. M. Kopytko, J. Sobieski, W. Gawron and P. Martyniuk, “Study of HgCdTe(100) and HgCdTe(111)B heterostructures grown by MOCVD and their potential application to APDs operating in the IR range up to 8 µm,” Sensors 22(3), 924 (2022). MEiN: 100, DOI: 10.3390/s22030924
  3. K. Grodecki, K. Murawski, J. Rutkowski, A. Kowalewski, J. Sobieski, “Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy,” Opto-Electronics Review 29, 91-96 (2021). MEiN: 100, DOI: 10.24425/opelre.2021.139
  4. M. Kopytko, J. Sobieski, R.Xie, K. Jóźwikowski, P. Martyniuk, “Impact ionization in HgCdTe avalanche photodiode optimized on 8 µm cut‑off wavelength at 230 K,” Infrared Physics & Technology 115, 103704 (2021). MEiN: 100, DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103704
  5. A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, P. Madejczyk, S. Krishna, “InAsSb-based infrared photodetectors: thirty years later on,” Sensors 20, 7047 (2020). MNiSW: 100, DOI: 10.3390/s20247047
  6. P. Martyniuk, P. Wang, A. Rogalski, et al. “Infrared avalanche photodiodes from bulk to 2D materials,” Light Science and Applications 12, 212 (2023). DOI: 10.1038/s41377-023-01259-3